造半導(dǎo)體器件的方法，包括形成一個(gè)銠-在制造過(guò)程中在襯底上的含層，例如半導(dǎo)體襯底或襯底組件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。這銠含層可以是純的銠層，一個(gè)銠氧化層，一個(gè)銠硫化層，a銠硒化物層銠氮化層，一個(gè)銠合金層等。通常且優(yōu)選地，銠含層是導(dǎo)電的。所得層可用作集成電路結(jié)構(gòu)中的阻擋層或電極，特別是在諸如DRAM器件的存儲(chǔ)器件中。

  含金屬層可以包括純銠, 或銠含合金銠以及一種或多種其他金屬（包括過(guò)渡金屬、主族金屬、鑭系元素）或來(lái)自元素周期表中其他族的準(zhǔn)金屬，例如Si、Ge、Sn、Pb、Bi等。此外，對(duì)于某些優(yōu)選實(shí)施例，金屬含層可以是氧化物、氮化物、硫化物、硒化物、碲化物或它們的組合。

  因此，在上下文中的在本發(fā)明中，術(shù)語(yǔ)“含金屬層”包括例如相對(duì)純的層的 銠, 合金的 銠與其他第 VIII 族過(guò)渡金屬如銥、鎳、鈀、鉑、鐵、釕和鋨、第 VIII 族以外的金屬、準(zhǔn)金屬（例如，Si）或它們的混合物。該術(shù)語(yǔ)還包括配合物的 銠或者銠與其他元素（例如 O、N 和 S）的合金。術(shù)語(yǔ)“單一過(guò)渡金屬層”或“單一金屬層”是指相對(duì)純的層的 銠. 術(shù)語(yǔ)“過(guò)渡金屬合金層”或“金屬合金層”是指層的 銠例如，與其他金屬或準(zhǔn)金屬形成合金。

  一種優(yōu)選的方法的本發(fā)明涉及在制造期間在諸如半導(dǎo)體襯底或襯底組件的襯底上形成層的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。該方法包括：提供襯底（優(yōu)選地，半導(dǎo)體襯底或襯底組件）；提供包含一種或多種復(fù)合物的前體組合物的式：L y RhY z，(式I)

  其中：每個(gè)L基團(tuán)獨(dú)立地為中性或陰離子配體；每個(gè) Y 基團(tuán)獨(dú)立地是選自下組的 pi 鍵合配體的CO、NO、CN、CS、N 2、PX 3、PR 3、P(OR) 3、AsX 3、AsR 3、As(OR) 3、SbX 3、SbR 3、Sb(OR) 3、NH x R 3-x、CNR和RCN，其中R為有機(jī)基團(tuán)，X為鹵化物；y=1 到 4；z=0 到 4（最好是 1 到 4）；x=0 至 3；提供非氫反應(yīng)氣體；以及在存在的情況下由前體組合物形成含金屬層的表面上的非氫反應(yīng)氣體的襯底（優(yōu)選地，半導(dǎo)體襯底或襯底組件）。例如，含金屬層可以是單一的過(guò)渡金屬層或過(guò)渡金屬合金層。使用這些方法，配合物的式I以某種方式轉(zhuǎn)化(例如，熱分解)并沉積在表面上以形成含金屬層。因此，該層不僅僅是一個(gè)層的復(fù)雜的的公式 I。

  配合物的式 I 是中性配合物，在室溫下可能是液體或固體。然而，通常它們是液體。如果它們是固體，它們優(yōu)選在有機(jī)溶劑中充分溶解或具有低于其分解溫度的熔點(diǎn)，從而它們可以用于各種蒸發(fā)技術(shù)，例如閃蒸、起泡、微滴形成等。然而，它們也可以具有足夠的揮發(fā)性以使它們可以使用已知的化學(xué)氣相沉積技術(shù)從固態(tài)蒸發(fā)或升華。因此，前體組合物的本發(fā)明可以是固體或液體形式。如本文所用，“液體”是指溶液或純液體（室溫下的液體或在升高的溫度下熔化的室溫下的固體）。如本文所用，“溶液”不需要完全溶解的固體；相反，溶液可能含有一些未溶解的物質(zhì)，但最好有足夠的量的能被有機(jī)溶劑帶入氣相進(jìn)行化學(xué)氣相沉積處理的材料。

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