在電子產(chǎn)品中，IC晶圓硅晶片（也稱(chēng)為基板）是高純度晶體硅 (c-Si) 的薄片，用于生產(chǎn)集成電路——一種由多個(gè)電子元件組成的復(fù)合材料。硅晶片在半導(dǎo)體行業(yè)中發(fā)揮著重要作用，因?yàn)樗鼈儼l(fā)現(xiàn)它們?cè)陔娮雍臀C(jī)械設(shè)備中的應(yīng)用。

半導(dǎo)體電鍍與電解槽的比較

對(duì)于當(dāng)今先進(jìn)的半導(dǎo)體電化學(xué)沉積 (ECD) 工藝，IC晶圓廠(chǎng)需要能夠在IC晶圓上生產(chǎn)成型良好的特征，這些特征不僅沒(méi)有空隙，而且尺寸完美。他們必須能夠在可接受的總系統(tǒng)成本和運(yùn)營(yíng)成本范圍內(nèi)可靠、重復(fù)地完成此任務(wù)。

最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造電鍍工藝都基于與標(biāo)準(zhǔn)電解池相同的原理，采用相同的電源、電解質(zhì)、陰極和陽(yáng)極基本元件。

控制電鍍過(guò)程

在電鍍系統(tǒng)中，陽(yáng)極和晶片通過(guò)硬件和布線(xiàn)電氣連接到控制能力先進(jìn)的電源。從根本上說(shuō)，高質(zhì)量薄膜的沉積是在缺電子條件下進(jìn)行的，這對(duì)于準(zhǔn)確控制反應(yīng)速率和沉積速率至關(guān)重要。在最先進(jìn)的電鍍工具中，電源能夠提供極其精確的電流控制，這對(duì)于提供當(dāng)今半導(dǎo)體器件所需的高水平電鍍均勻性至關(guān)重要。

鍍?cè)诰系慕饘袤w積與提供給系統(tǒng)的電子摩爾數(shù)成正比。通過(guò)精確控制施加的總電流，電鍍系統(tǒng)能夠在晶圓上沉積非常精確的金屬量。晶圓表面鍍金流體速度的微小差異會(huì)導(dǎo)致整個(gè)晶圓的電鍍速率不同 - 以及均勻性差。

電氣特征的形成是半導(dǎo)體電鍍的主要目的。特別是在圖案化掩模內(nèi)電鍍特征的情況下，電流密度驅(qū)動(dòng)形成特征的電鍍材料的垂直生長(zhǎng)速率。在給定系統(tǒng)中施加的電流密度很容易轉(zhuǎn)換為每時(shí)間的厚度速率，通常以微米/分鐘為單位。

總之，電子供應(yīng)驅(qū)動(dòng)晶片的反應(yīng)速率，從而驅(qū)動(dòng)金屬沉積的速率。總充電量（安培小時(shí)）控制著特定電鍍區(qū)域的沉積金屬高度。

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