涉及從用于薄膜制造的濺射靶廢料中獲得高純度鉑族元素金屬粉末的技術(shù)。得到的金屬粉末作為濺射靶材的制造原料是有用的，還涉及使用該金屬粉末制造靶材的方法。近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體LSI、磁記錄介質(zhì)、平板顯示器、手機(jī)等的發(fā)展，對(duì)由難熔金屬(包括例如釕(Ru)等鉑族元素)及其合金制成的薄膜材料的需求正在迅速增加。在包括半導(dǎo)體在內(nèi)的各種工業(yè)領(lǐng)域中，特別是使用鉑族元素等貴金屬薄膜，作為在基板表面形成薄膜的技術(shù)，使用濺射法。在濺射技術(shù)中，稀有氣體元素通常是氬氣，通常通過(guò)在真空室中對(duì)要沉積的基材（基板）施加高電壓進(jìn)行離子化，然后將要沉積為薄膜的貴金屬靶材回收置于真空室。被使用和氮?dú)馔ǔ?lái)自空氣被允許與目標(biāo)材料碰撞。然后，目標(biāo)表面上的原子被排斥并可以到達(dá)基板形成薄膜。

  最近，作為半導(dǎo)體、液晶、等離子顯示器、光盤(pán)等需要高品質(zhì)薄膜的薄膜的制造方法，以及與各種形狀和尺寸對(duì)應(yīng)的高純度濺射靶材，被廣泛使用。應(yīng)用程序。提供。因此，用于形成薄膜材料的靶材的量迅速增加。

  一種從含有鉑族貴金屬的廢物中回收貴金屬粉末的方法用于形成薄膜材料的靶材要求具有高純度、低氧、高密度、更精細(xì)的結(jié)構(gòu)等。待提純的物料經(jīng)過(guò)多次高純度提純工藝精制，加工成目標(biāo)物料。在制造薄膜材料時(shí)，如上所述，通常使用濺射法，特別是最常用的磁控濺射法。因此，優(yōu)先腐蝕部分是由磁場(chǎng)分布引起的，速度不一樣，所以在特定位置消耗量大，而在其他位置消耗量不小。在這樣的狀態(tài)下濺射靶材，即使消耗區(qū)域是一部分，也很難發(fā)生濺射，可能會(huì)導(dǎo)致成膜速度下降，因此需要更換新的靶材。它成為了。這樣，目標(biāo)材料的使用效率約為15-30%，最多為50%，其余部分，即總重量的70%以上，其余部分至少為50%以上部分是剩余的材料（廢料），沒(méi)有得到有效利用。特別是，作為高純度的高純度金屬的高價(jià)靶材的殘留材料的庫(kù)存增加成為制造成本增加等嚴(yán)重的問(wèn)題。對(duì)于這種使用過(guò)的靶，沒(méi)有經(jīng)濟(jì)上優(yōu)越的有效回收方法，將其粉碎并轉(zhuǎn)化為有效使用的原料。

  在目標(biāo)材料的回收利用過(guò)程中，廢料破碎等加工時(shí)，雜質(zhì)本來(lái)就混入高純度的起始原料中，去除難度大，成本高。出現(xiàn)。另外，還存在從在目標(biāo)材料的制造中混入的稀釋金屬或合金化而添加的金屬成分(通常為痕量)分離的經(jīng)濟(jì)上優(yōu)異的有效方法的問(wèn)題。例如，研究了將廢靶材作為水溶液提純分離的方法，但該化學(xué)方法價(jià)格昂貴，可用于Pt等，但不溶于王水。難以適用于Ru等難熔金屬。此外，還提出了一種通過(guò)電子束熔煉在高真空中重熔和精煉的技術(shù)。出現(xiàn)偏差，而且熔化的鑄錠難以加工，不能工業(yè)化應(yīng)用。在鉑族元素中，例如釕板回收硬、脆、難溶、不溶于酸，是高熔點(diǎn)金屬材料。很難獲得一定水平的高純度釕粉。

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