用于回收其上具有低k介電材料的半導(dǎo)體晶片的組合物和方法，從襯底或制品中去除低介電材料和其它材料層，以再生/再加工和/或再利用具有沉積在其上的低介電材料和其它材料的廢棄襯底或制品。它涉及用于制造的組合物和方法以及使用它們制造的產(chǎn)品。隨著與高密度、超大規(guī)模集成 (ULSI) 半導(dǎo)體布線相關(guān)的性能要求逐漸提高，隨著器件尺寸的縮小，低介電常數(shù) (low-k) 絕緣層被用于提高信號(hào)傳輸速率。使用需求逐漸增加。

  典型的低介電材料包括碳摻雜氧化物(CDO)，使用諸如SiLK TM 、AURORA TM 、CORAL TM 或BLACK DIAMOND TM 的市售前體沉積，例如使用商標(biāo)BLACK DIAMOND TM 工藝。這種CDO通常由有機(jī)硅烷和有機(jī)硅氧烷前體使用化學(xué)氣相沉積(CVD)形成。 CVD碳摻雜氧化物低k材料通常由總介電常數(shù)小于約3.2的多孔低密度材料組成，通常通過(guò)形成多層CDO與其他半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)如金屬布線和其中形成的偏置來(lái)形成.它用于各種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。例如，CDO 可用作某些結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)絕緣層（金屬間電介質(zhì) (IMD) 層）、覆蓋層和/或間隙填充材料。

  如果在多層器件制造過(guò)程或鑒定過(guò)程中層被不可接受地處理，則微電子器件晶片，例如硅半導(dǎo)體晶片，經(jīng)常必須被刮除，優(yōu)選再生。可能會(huì)出現(xiàn)許多加工問(wèn)題，例如，不均勻的 CDO 層沉積或伴隨的蝕刻缺陷。在某個(gè)處理步驟之后，進(jìn)行了幾次質(zhì)量控制分析，其中半導(dǎo)體晶片由于各種原因被“刮掉”而被拒絕，從而導(dǎo)致巨大的非生產(chǎn)成本損失。

  在現(xiàn)有技術(shù)中，向晶圓供應(yīng)商提供有缺陷或被報(bào)廢的工藝晶圓以進(jìn)行處理是一種實(shí)踐，其中使用化學(xué)和機(jī)械方法從半導(dǎo)體晶圓上去除介電層，例如CDO層，以重新使用該工藝。

  半導(dǎo)體晶片。在成功去除賦予晶片的介電層和其他成型體后，晶片通過(guò)新的多層半導(dǎo)體器件制造工藝再生或再利用。隨著半導(dǎo)體晶片制造工藝轉(zhuǎn)向更大直徑的晶片（例如，12英寸晶片），由于非生產(chǎn)性高成本，異地刮削和回收工藝晶片變得越來(lái)越有吸引力。使用與常規(guī)制造工藝兼容的改進(jìn)組合物，工藝可用于從不確定的微電子器件（例如，半導(dǎo)體晶片）去除內(nèi)部低介電層，包括CDO層。需要開(kāi)發(fā)。使用該組合物從確定性差的微電子器件中去除低介電層的過(guò)程優(yōu)選不需要高能耗的氧化步驟。

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