它在半導體制造以減少或最小化晶片上形成的集成電路的表面缺陷。例如，表面檢測可以包括添加到晶片表面的顆粒。可以確定和監(jiān)測晶片表面上的顆粒數(shù)量，以確保生產(chǎn)良率保持在可接受的水平，并防止檢測密度達到不可接受的水平。鍍金晶圓回收例如，一種粒子來源是半導體工具或設備?？梢酝ㄟ^在生產(chǎn)前通過工具運行測試晶片來確定或指定每個產(chǎn)品通過工具添加到晶片的顆粒數(shù)量半導體晶圓開始。因此，定期缺陷監(jiān)測可用于在生產(chǎn)前測試工具和/或工藝的清潔度或狀況半導體晶圓由該工具或工藝處理或處理。

   在周期性缺陷監(jiān)測中，可以使用一個或多個測試晶片。原始測試 (“VT”) 晶圓是未使用或暴露于工藝表征條件或步驟的裸硅片。VT 晶片可能適用于監(jiān)測由特定工具或工藝添加的顆粒或缺陷。

  例如，添加到 VT 晶片的粒子的數(shù)量和類型可能取決于工具的狀態(tài)和條件。在將VT晶片用于定期缺陷監(jiān)測之后，可以使用研磨、研磨或拋光工具從晶片表面去除硅，從而將晶片厚度減少約10微米至約20微米或更多。鍍金晶圓回收價格通常，晶圓厚度的這種減少意味著原始測試晶圓不能再重復使用一次以上，或者最多重復使用幾次。在某些情況下，例如在工藝薄膜上測量缺陷質(zhì)量的情況下，VT 晶圓可能不會再次重復使用。例如，具有約2微米至約4微米的薄外延表面的測試晶片不能被回收或重新使用，因為研磨、研磨或拋光工藝去除了更大的厚度。

  使用 VT 晶圓來監(jiān)測由半導體加工工具或設備非常昂貴。例如，每個新的生產(chǎn)晶圓開始時可能會使用幾個 VT 晶圓，并且使用的 VT 晶圓的數(shù)量可能會根據(jù)工具和工藝的成熟度而有所不同。需要一種系統(tǒng)和方法來延長原始測試晶片的使用壽命，并允許它們在各種工具和工藝中產(chǎn)生的顆粒和表面缺陷的測試中被重復回收和重復使用。在拋光以從晶片表面去除非常薄的硅層之后，可以用化學液體清潔、沖洗和/或擦洗晶片表面，并且可以將晶片再次用作VT晶片以檢測顆粒污染。因此，硅拋光工藝可用于從用過的VT晶片產(chǎn)生新的VT晶片。

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