回收報廢銥坩堝，銥坩堝晶體生長是通過增加強度銥坩堝側墻在容易出現變形的地方銥坩堝外墻和表面噴涂銥坩堝一層精細緊密的耐高溫保護涂層，包裹在表面的銥，從而防止銥金揮發和損失達到減少的目的并扭曲到周圍的大氣中。銥坩堝用于生長熔點超過2000℃的LYSO晶體，晶體生長時間為15天，多次生長晶體后銥坩堝表面沒有明顯銥揮發和明顯變形，保護涂層不出現脫落和斷裂現象，晶體工業化生產更穩定，銥坩堝可重復使用循環達20次以上，有效降低晶體產業化制造成本。

目前在人工晶體生長領域發現的高性能晶體具有共同的特點：晶粒體積密度高，熔點高，如LYSO晶體熔點約2050℃，密度7.15g/cm 3 ( ii)a LSO晶體的熔點約為2100℃，密度達到7.41g/cm 3 (ii)a Nd-YAG晶體的熔點約為1970℃，密度達到4.5g/cm 3；YVO 4晶體熔點約1825℃，YAP晶體熔點約1875℃。由于iraurita的熔點約為2440℃，工作溫度可達2200℃，當高密度、高熔點的高溫氧化物晶體生長時，一般采用感應提拉爐。銥坩堝用作容器和加熱器。

然而，當 LYSO 和 LSO 晶體等熔點超過 2000 ℃ 的晶體生長時，經過銥坩堝回收反復使用10-15次，銥坩堝回收價格，以及銥坩堝的墻壁和底部坩嚴重扭曲，使銥坩堝損失嚴重，銥坩堝的使用壽命坩縮短了晶體的生產成本，不利于晶體的產業化。當銥坩堝變形到一定程度，容易出現滲漏或穿孔的現象，使晶體生長的原料滲出甚至溢出，使晶體生長失敗，無法使用。坩需要再次熔化進行二次加工，進一步增加了晶體的生產成本2022銥目前的價格。

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