釕回收、鋨回收以及它們的氧化物是預期在未來的半導體器件(例如，鐵電存儲器和邏輯芯片)中用做電極的材料。這些材料具有引人注目的物理性能，如低電阻、高功函、抗層間化學擴散以及熱和氧化穩定性。此外，釕、鋨以及它們的氧化物生產出的薄膜具有的晶格參數和熱膨脹系數使它們能與未來的半導體器件預期使用的許多介電材料相容。

化學汽相淀積(CVD)是一種在半導體器件制造中廣泛應用的技術，以生產制造所述器件的材料層。將CVD化合物(稱做前體)以汽相輸送至或接近一個表面，在這里通過某種方式(例如熱、化學或等離子活化)將它們分解以生成所需材料組成的固體薄膜。在很多出版物中展示了CVD技術在生產半導體器件用釕和氧化釕薄膜中的應用。參見，例如，WO 00/12766。如果采用CVD技術將釕和鋨化合物引入工業半導體器件中，則需要適合用做CVD前體的這些材料。而且，曾經有過一些有希望的報道，應用環戊二烯基釕(II)配合物和羰基釕(O)配合物作為CVD前體。美國專利No.6,114,557公開了羰基釕(O)配合物的合成路線。

式LxM(CO)y[L＝中性配體，M＝釕或鋨，x＝1-4，且y＝1-5]化合物的制備可追溯到1960年代晚期，當時在科技文獻中初次描述了它們的制備。這些化合物的一般制備路線包括在溶劑的存在下以回流狀態，使釕3(CO)12與配體的反應。為這些反應所選擇的溶劑通常為苯。釕3(CO)12與二烯、硫醇和膦的反應在回流下在溶劑苯中發生。

[(二烯)釕(CO)3]化合物的另一條路線包括采用C8H12釕(CO)3作為原料的置換反應。如上所述，該化合物通過在苯中回流1，5-環辛二烯和釕3(CO)12的混合物來制備。然后，使C8H12釕(CO)3與另一種二烯(例如C6H8)也在回流的苯中進行反應，生成所需的產物。

最后，他們使用的反應路線基本與上述的相同，只是溶劑體系稍有改進。這樣，釕3(CO)12與配體在非苯的溶劑體系中反應。具體而言，采用了較高沸點的溶劑(例如甲苯)。該557專利公開的較高沸點的溶劑體系導致了反應速率和產物產率的提高。

雖然在科技化學文獻中有許多現有技術公開了LxM(CO)y[L＝中性配體，M＝釕或鋨，x＝1-4，且y＝1-5]型化合物的信息，但是據信上述的合成方案描述了它們的合成。

雖然現有技術的方案采用非反應性溶劑體系來合成式LxM(CO)y[L＝中性配體，M＝釕或鋨，x＝1-4，且y＝1-5]化合物，但沒有教導或建議一種凈態或無溶劑的反應路線。此外，現有技術的參考文獻表明基于羰基的配合物的合成，即釕配合物的合成需要長反應時間。例如，在美國專利No.6,114,557中，生成(C6H8)釕(CO)3的反應要進行24小時的時間。因此，需要一種現有技術沒有教導或建議過的新型凈態合成路線(其中，配體L既是溶劑又是反應物)。所述凈反應路線使反應比現有技術的方法更快地完成，同時仍能以高產率生成所需產物。還優選采用凈反應體系，這是因為所需的成分更少而簡化了合成工藝。

包含將金屬羰基化合物與過量的中性配體回流以生成第一混合物；從第一混合物中蒸發任何過量的中性配體以生成第二混合物；蒸餾第二混合物以生成基于羰基的化合物。所述金屬羰基化合物是釕或鋨羰基配合物。所述中性配體可以是膦、亞磷酸根、胺、胂、茋(stibene)、醚、硫醚、亞烷基(RCH＝)、亞硝酸根、異腈、硫代羰基，直鏈、支化或環狀的單烯烴，直鏈、支化或環狀的二烯，直鏈、支化或環狀的三烯，二環烯烴，二環二烯，二環三烯，三環烯烴，三環二烯，三環三烯和炔，鼎鋒貴金屬回收表示以上就是從貴金屬釕,鋨的應用及其化合物回收價格的答案。

"鼎鋒貴金屬回收含金、銀、鈀、銠、鉑、鍺、銥、釕等貴金屬，這是我們貴金屬回收其中的業務。如果你有、銀、鈀、銠、鉑、鍺、銥、釕等貴金屬需要回收，和我們聯系，我們將會給你一個滿意的價格。"